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谢谢各位的指教,记得早期的真空断路器是要加避雷器或R-C装置,但现在做的工程,基本是进线端和PT柜各加一组避雷器,其于都没有加,所以我认为现在的真空断路器已经将其操作过电压限制在可以接受的范围。不知对不对,望各位指教。
我再请教一个问题,VS1型真空断路器操作过电压的倍数是多少。我查过资料,富士的HS型真空断路器的操作过电压的倍数小于2倍,但VS1型断路器没查到,小于2倍的操作过电压不会对开关柜的绝缘造成什么影响吧。
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断路器
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一、TT系统。(1)若为RCD(剩余电流保护器),则三相为4P,单相为2P;(2)若为普通开关(实际上极少),则三相为3P,单相为1P。 二、TN-S系统。(1)若为RCD,则三相为4P(但若能保证N为可靠地电位时,也可为3P),单相为2P(或1P。同前);(2)若为普通开关,则三相为3P,单相为1P。 三、TN-C系统。因严禁断开TN-C系统的PEN线,故TN-C中不得使用4P(三相时)或2P(单相时)开关。
遇到了一点小问题
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只看楼主 我来说两句-
zxy
沙发
2004-07-03 14:50:03
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zxy
板凳
2004-07-03 13:01:03
赞同0
加载更多谢谢各位的指教,记得早期的真空断路器是要加避雷器或R-C装置,但现在做的工程,基本是进线端和PT柜各加一组避雷器,其于都没有加,所以我认为现在的真空断路器已经将其操作过电压限制在可以接受的范围。不知对不对,望各位指教。
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我再请教一个问题,VS1型真空断路器操作过电压的倍数是多少。我查过资料,富士的HS型真空断路器的操作过电压的倍数小于2倍,但VS1型断路器没查到,小于2倍的操作过电压不会对开关柜的绝缘造成什么影响吧。
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